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由于碳析出量很大程度上取决于溶解的碳浓度和降温速率，成想金属晶界处往往生成的石墨烯较厚，成想因此生长的石墨烯以多层为主，层数不均匀且可控性较差。研究还发现，山东相比于经典的半导体热电材料，随着晶畴尺寸的减小，石墨烯的电导率和热导率均衰减地更快。第一步，届驻济高近使用尽量高的生长温度，届驻济高近低的甲烷气体分压进行生长，得到较低成核密度，然后提高第二步生长的甲烷气体分压，进而提高生长速度，得到大晶畴尺寸的石墨烯薄膜。
图8.双层石墨烯的制备方法Ruoff[5]等在氧预处理的铜箔信封外表面上成功获得晶畴尺寸达到500μm的80%AB堆垛双层石墨烯晶畴，校毕并深入分析了AB堆垛石墨烯生长机制。业生4.2大单晶石墨烯的制备石墨烯中的晶畴与晶界分布是影响其性质的关键因素之一。
刘忠范和彭海琳课题组[3]将新鲜的铜箔置于已经满层覆盖铜箔的石墨烯上游，成想利用新鲜的铜箔持续催化裂解碳源，成想提供额外的碳源供给用于下游的第二层石墨烯的生长，进而获得了高覆盖率的双层石墨烯。
本综述主要介绍了碳材料的成键和制备历史，山东CVD法制备石墨烯的热力学过程与生长动力学机制，山东讨论了生长条件对石墨烯畴区尺寸、形貌、缺陷、生长速度、层数和质量的影响，并对高质量石墨烯材料的制备方法进行总结，展望了未来制备高质量石墨烯薄膜的研究。此外，届驻济高近MicroLED的体积约为目前主流LED大小的1%，届驻济高近且应用范围非常广阔，可应用小至手环和手表等可穿戴设备，大至商用广告牌和公共显示屏，甚至VR或者VR设备等的，并且表现比传统的液晶面板甚至OLED都更好一些。
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